巴克莱与花旗：10 月内存涨势延续，DDR4 合约价三个月累计上涨 24%
巴克莱最新报告显示，2026 年 10 月 DDR4 内存合约价环比上涨 4%、近三个月累计上涨 24%；新一代 DDR5 合约价环比上涨 3%、近三个月累计上涨 20%，DDR5 现货价则环比上涨 8%。上一代 DDR4 的涨幅反超 DDR5。
同期，存储厂商南亚科已陆续通知客户再度上调 DRAM 合约价，部分产品最高涨幅达 20%；南亚科 2026 年 9 月单月营收 450.91 亿新台币，同比增长 576%。三星电子亦上调 NAND 供应价格。供应链访查显示，第四季 DDR4 合约价预计季增 10% 至 20%。
价格上行的同时，供给端短期难有增量。内存原厂受益于行业下行期的产能纪律，资本开支未大幅扩张，单位成本相对稳定，涨价部分几乎直接转化为毛利，三大原厂盈利能力均处历史峰值区间。美光称其 HBM4 已通过主要 GPU 平台验证、进入量产爬坡；SK 海力士与多家北美云厂商的 HBM 长期合约已排至 2027 年。
机构对短缺时长存在分歧。巴克莱援引美光观点称，内存紧缺将持续至 2029 年；花旗的供需比数据显示，DRAM 供需缺口将于 2027 年第四季度达到 13.9% 的峰值，NAND 缺口则在 2028 年第一季度达到 8.3%，供需偏紧格局整体延续至 2028 年。涨价也在倒逼产业链回调规格：技嘉宣布 B760、H610 主板新品重新支持 DDR4，南亚科总经理李培英表示 DDR4 客户需求依旧强劲，公司不急于提高 DDR5 生产占比。
观点
- 本轮涨价的驱动是 AI 服务器需求改变了 DRAM 的需求结构，HBM 产能挤占通用 DRAM 投片，进而反噬 NAND 供给，属于结构性重塑，区别于普通库存周期反弹。
- 内存厂的产能纪律是这轮价格弹性的关键：新建一条 DRAM 产线周期约两年、投入数百亿美元，厂商宁可先抬价，也不愿在 2028 年产能落地时面对过剩。
- 成本正沿产业链向消费端转嫁。AI 服务器整机 BOM 中存储成本占比已从约一成升至 25% 以上，手机 512GB 机型所用 NAND 成本较 2025 年同期上涨超 50%。
- 反向变量同样明确：部分客户长期协议设有价格上限，需求端资金承受力逼近极限，新增产能的释放节奏将决定涨价空间何时收敛。