三星西安厂改造 286 层 NAND，SK 海力士大连厂升级至 240 层以上
2026 年 10 月 21 日，路透社援引知情人士称，三星电子与 SK 海力士正在升级各自的中国工厂，目标是在华生产 200 层以上的 NAND 闪存。
具体安排是：三星电子把西安工厂改造为生产 286 层 V9 NAND，目标 2026 年 12 月实现月产 5,000 片晶圆，2027 年 12 月提升至 4 万片；SK 海力士计划把大连工厂的 NAND 产线由当前的 192 层升级至 240 层以上，并正与美方协商在大连安装设备。西安与大连分别是两家公司在中国的主要存储生产基地，其中大连厂来自 SK 海力士收购的英特尔 NAND 业务，90 亿美元的交易于 2025 年 3 月完成尾款交割。
升级卡在设备上。NAND 提升密度靠堆叠层数，每上一代都要增加刻蚀与薄膜沉积工序，而美国自 2022 年起限制部分芯片制造设备出口，128 层及以上 NAND 对应的设备即在管制门槛内，两家公司每年须向美国申请许可，才能在中国工厂安装刻蚀设备等美制产品；美国商务部工业与安全局去年曾表示，无意批准外国芯片制造商升级中国工厂的技术。管制拉长了两家在华产线的升级节奏，扩产能力受限，部分市场份额被长江存储接手：按 Counterpoint 统计，2026 年二季度长江存储以 14% 的出货量份额首次进入全球前三，三星为 25%，SK 海力士含 Solidigm 为 22%。产线分工也能看出约束的分量——SK 海力士把 300 层及以上的高堆叠产品放在韩国清州，大连基地承担成熟工艺与较低层数产品的量产，一厂月产约 10 万片晶圆。三星回应称正推进升级并与美国政府保持密切沟通，SK 海力士称一直在与美政府协商。
观点
- 审批在个案层面留了缝隙：在年度许可框架下拿到 200 层以上产线所需设备，说明工业与安全局去年「无意批准」的表态在执行中被逐案处理，路径仍是逐案审批，随时可以收紧。
- 产能意义有限，象征意义更大：首期 5,000 片/月属试产量级，4 万片/月要到 2027 年底，且只覆盖单一制程节点，对全球 NAND 供给曲线的影响在明年之前可以忽略。
- 国产替代的窗口取决于审批速度：两家在华升级越慢，长江存储接手份额越快；若审批持续个案放行，国产 NAND 的份额扩张节奏会被拉长。
- 设备端要看存量产线改造：刻蚀等美制设备是许可标的，存量产线升级受限，反而给国产刻蚀与薄膜沉积设备留出替换入口。