集邦咨询预估四季度 DRAM 合约价环比涨两成，英伟达考虑把 Rubin Ultra 的 HBM 堆叠降至 8 层
2026 年 10 月 20 日，集邦咨询（TrendForce）援引《工商时报》《MoneyToday》与《朝鲜日报》报道称，四季度 DRAM 合约价预计环比上涨约 20%，涨幅较二季度的约 80%、三季度的约 40% 继续收窄。
涨价动力来自 AI 推理需求扩张：更大模型、更长上下文与增长的 KV 缓存，拉动服务器 DRAM 与企业级 SSD 的容量和带宽需求，主要存储厂商又把产能优先投向 HBM 等高端产品。涨幅收窄有三个原因——前期价格基数已高、终端市场购买力减弱、部分长期协议的价格上限开始生效。
供应紧张也改变了芯片的规格选择。据《工商时报》，若英伟达把 Rubin Ultra 从 12 层 HBM 换成 8 层，在堆栈数与单层容量不变的前提下，单颗 GPU 的 HBM 容量减少约 33%，而同样数量的 DRAM 芯片理论上可多支撑 50% 的 GPU 出货。代价在成本端：8 层堆栈同样需要一颗基础裸片，单位 Gb 分摊的基础裸片成本更高，集邦预计 2027 年 8 层 HBM 每 Gb 成本比 12 层高 10% 至 20%。
国产侧，长鑫的 4F² DRAM 架构理论上可把存储单元面积较主流 6F² 减少约 33%，但单元更小不必然带来每片可用 bit 的等比提升，量产仍受良率、漏电与数据保持制约，全面商业化一般预计在 2028 年之后，现货价格尚未受此扰动。另有报道称苹果、特斯拉因存储成本上升，提出转向长鑫与长江存储的可能，短期压价空间则受价格竞争力、可供量与销售市场限制。
观点
- 这是瓶颈从 GPU 产能转到 HBM 容量后的让步：以单卡内存换整机出货，短期改善交付，代价是每卡可承载的模型规模与上下文长度被压低。
- HBM 的定价逻辑变了：单位 Gb 成本反升，说明基础裸片这类固定成本的分摊权重上升，逻辑层的价值量继续向先进逻辑代工集中。
- 国产存储的威胁在 2028 年前是预期：4F² 的 33% 是单元面积口径，不等于成本与良率优势，现货价未动即为证据。
- 存储厂的利润弹性从报价转向锁量：涨价放缓叠加长期协议价格上限，2027 年的确定性来自产能与长约，季度涨幅的参考价值在下降。
来源：TrendForce、IT之家、凤凰科技