英伟达要求三家存储厂统一用台积电 3nm 制造 HBM 基底裸片，三星首次将底座外包
2026 年 10 月 18 日，韩国《首尔经济日报》援引业界消息报道，三星电子决定采用台积电 3nm 工艺生产英伟达定制 HBM（NVHBM）的基底裸片，打破其长期以来一站式自制的做法。英伟达同时要求三星、SK 海力士、美光三家在 NVHBM 上统一使用台积电 3nm 基底裸片，核心 DRAM 统一采用第六代 1c 工艺。消息传出后 10 月 19 日美股夜盘英伟达涨 1.73%、台积电涨 1.80%，三星对具体客户路线图回应“无法确认”。
关键事实：
- 三个第一次：三星首次在 HBM 制造环节使用竞争对手产线，此前 HBM4 与 HBM4E 的基底裸片均在自家 4nm 生产；基底裸片的定义权首次由客户从存储厂手中拿走；英伟达首次对三家存储厂下达统一工艺的硬约束。
- NVHBM 是什么：2026 年 8 月发布，基于 HBM4E 架构，把原本放在加速器主芯片里的内存控制器搬进基底裸片。按厂商口径，相较标准 HBM4E 带宽提升最高 30%、功耗降低约 15%、为计算晶粒释放最高 25% 至 30% 的面积。
- 各家底座方案：SK 海力士 HBM4 采用台积电 12nm，HBM4E 评估 3nm；美光 HBM4E 计划转向 3nm；三星标准品继续自产 4nm，仅 NVHBM 外包，同时验证自有产线作为台积电产能不足时的备份。
- 为什么必须统一：台积电 3nm 采用 FinFET 结构、三星 3nm 采用 GAA 结构，设计规则本就不同；三家底座若分用 12nm、4nm、3nm，时序、功耗与信号完整性无法对齐，出问题也难以定位。
- 三星的账：HBM4 基底裸片已占掉其约一半 4nm 产能，而这条线还要接高通等外部客户订单；把 NVHBM 底座挪到台积电，等于从最紧的产线上卸下一块负载，同时把产品接进客户已验证的供应体系。
- 约束条件：台积电 3nm 本就吃紧，三家底座需求同时压过来，产能分配直接决定 NVHBM 的交付节奏。
观点
- 竞争维度从堆叠层数与 DRAM 良率，转到先进逻辑代工的排位赛。基底裸片同时是价值入口和产能瓶颈，谁拿到 3nm 配额谁先交样。
- 英伟达把多源供应从器件级下移到工艺级：货还是三家，底座只有一种，验证一次覆盖全部供应商，议价筹码更足。
- 三星让出的是工序而非订单，DRAM 核心、堆叠与封装仍在手里。代价是“唯一能一体化交付”的卖点在标杆客户身上被拆掉，示范效应比订单金额更伤。
- 对国内存储的卡点在同一个位置。底座逻辑化之后，缺少先进逻辑代工配套的厂商只能外购；HBM4E 之后的规格分化，要按“底座由谁造、集成什么逻辑”分档评估，不能只看容量与速率。