三星与 SK 海力士同时向 ASML 抢单，各投 10 万亿至 20 万亿韩元扩先进 DRAM
据《朝鲜日报》11 月 8 日报道，ASML 已在财报中确认 2027 至 2028 年 EUV 光刻机供应无法满足客户需求，三星电子与 SK 海力士正竞相下单，两家投资额均在 10 万亿至 20 万亿韩元区间，自明年起分批接收设备。关键设备交期已拉长至原先最长水平的两倍，两家考虑提前下单，并视情况追加。
- 已披露的合同：SK 海力士今年 3 月公告采购约 11.95 万亿韩元 EUV 设备，交付截止日 2027 年 12 月 31 日。
- 三星的产线锚点：2025 年 11 月公布五年 450 万亿韩元国内投资计划，含平泽园区第五条生产线 P5，目标 2028 年投产，单座工厂投资超 60 万亿韩元。P5 一期洁净室 2027 年上半年完工后开始设备搬入，光刻设备已先行下单。
- 设备端口径：ASML 三季度财报称现有 2027 至 2028 年产能规划无法满足需求；今年 EUV 出货约 65 台，去年 44 台，增近五成；即便 2027 年扩产三成、2028 年再扩三成仍不足；关键产品涨价的影响明年开始体现、2028 年完全体现；当季存储占其系统销售额 46%。
- 工艺侧驱动：TrendForce 称 SK 海力士计划在 1c DRAM 上将 EUV 用到 5 层以上，较上一代多两层。
- 设备代际：SK 海力士 2021 年 2 月在利川 M16 装机首台 EUV，去年 9 月引入业界首台 high-NA EUV 量产设备；三星 9 月 8 日宣布扩大与 ASML 合作、2028 年前把 high-NA EUV 用于 DRAM 量产，据业界口径其存储部门持有的 EUV 台数最多。
- 后段同样排队：韩美半导体、安靠的量产前订单已基本排满，交期两到三年，热压键合机等 AI 数据中心所需设备同步扩产。
观点
- 2027 至 2028 年 DRAM 供给增量的上限，可以从机台交付档期倒推。 两家扩产的钱已经安排，卡住的是 ASML 排产。ASML 自己给出「2027、2028 年各扩三成仍不足」的口径，说明这段窗口内供给弹性小于资本开支弹性。
- 10 万亿至 20 万亿韩元是下单额度，不能当年度资本开支读。 它与 SK 海力士 3 月那笔 11.95 万亿韩元公告叠加核对，才能看出两家在 2027 年底前的设备承诺规模；追加订单与否是下一层变量。
- EUV 层数上移让设备需求跑在产能前面。 1c DRAM 的 EUV 层数较上一代多两层，单位晶圆曝光次数上升，需求增速因此快于晶圆产能增速。涨价从设备端传导到颗粒端的时点，ASML 给的是明年体现、2028 年完全体现。
- 后段两到三年的订单积压说明这轮扩产是整链条排期问题。 DRAM 前端与 AI 数据中心封装同时抢设备，任何一环卡住，前端产能再扩也出不了货；判断存储供给时看单点扩产计划会系统性高估。