三星得州泰勒二厂拿下 AMD 下一代 HBM 基础裸片订单，规划产能已被预订完毕
11 月 3 日，韩国《每日经济新闻》援引业界消息报道，三星电子将利用其位于美国得州泰勒市的第二座代工厂，为 AMD 与英伟达生产 HBM 基础裸片，路透同日跟进。报道称该厂规划产能已全部获得订单，其中大部分来自 AMD。
- 工厂：采用 2 纳米级先进制程，占地约 270 万平方英尺，约为泰勒一号厂的 1.5 倍；2026 年 11 月动工，2029 年 2 月开始安装设备，2030 年量产。
- 现状：三星 HBM4 基础裸片仍用 4 纳米逻辑工艺，最高支持 13Gbps 引脚速率、单堆栈 3.3TB/s 带宽；泰勒二厂的 2 纳米产能面向下一代更高速率与更低功耗的 HBM。
- 分工：基础裸片在美国制造，DRAM 在韩国生产，再运回完成堆叠封装。
- 为什么关键：基础裸片位于堆栈底部，负责堆栈内的数据传输与控制逻辑；随速率提升，其制程已从成熟节点跃升到先进逻辑代工，直接影响带宽、功耗与单堆栈容量。
- 背景：泰勒一号厂 2022 年公布总投资约 170 亿美元，已与特斯拉签约，2026 年 10 月进入试运行、2027 年量产。
- 对照：英伟达倾向把定制基础裸片统一交台积电，以保持三家存储厂工艺一致；三星自家的 HBM4 底座此前也已交台积电代工（#423《英伟达要求三家存储厂统一用台积电 3nm 制造 HBM 基底…》）。三星未披露这笔订单的金额与单价。
观点
- 对 2027 至 2028 年的 HBM 供给没有增量。动工到量产跨四年，中间要过厂房、设备、工艺爬坡与客户认证四道关。这笔订单真正的价值是给三星 2 纳米一个高性能计算锚定客户，而这是它先进制程多年来最缺的东西。
- 基础裸片成了 HBM 竞争的第二战场。层数与良率之外，基座已承担内存控制器、PHY 与测试逻辑，功耗密度上升之后，2 纳米相对 4 纳米的收益主要在漏电与静态功耗，直接决定单堆栈能不能继续往高层数走。
- 供应链被切成三段：裸片美国造、DRAM 韩国造、封装在第三地。先进逻辑与存储产能分置于不同关税区，管制的着力点从整机下沉到基座这一颗逻辑芯片。
- 客户阵营开始分线。英伟达要一致性，把基座统一到台积电；AMD 要第二供应源与美国本土产能，把订单给了三星。同一颗 HBM 底座出自不同代工厂、不同制程，控制器侧的 PHY 训练与验证矩阵要按基座工艺角细化，这是分散代工的真实成本。
来源：界面新闻、腾讯新闻转每日经济新闻、观点网、电子技术应用