传台积电应英伟达要求规划 3D DRAM，评估新建或收购改造存储厂
2026 年 11 月 6 日，科技媒体 The Information 引述两名知情人士报道，台积电正考虑把业务扩至先进存储芯片制造，近期已在英伟达要求下开始规划 3D DRAM 的生产。项目由负责先进封装业务的副总经理徐国晋主导。台积电回应称「不评论市场传闻或揣测」，强调始终专注晶圆代工核心业务；英伟达未回应置评请求。
关键事实：
- 3D DRAM 是什么：把存储单元垂直堆叠以提高容量，区别于把单元排在单一水平层的平面架构，被视作应对 AI 对高带宽、高密度内存需求的方向之一。
- 两条路径：新建专用存储厂，或收购现有晶圆厂改造为存储产线，参照美光今年收购一座晶圆厂改作 DRAM 生产的做法。量产时间与产能来源均未确定。
- 台积电的措辞：除「不评论传闻」，公司称使命是「成为逻辑集成电路产业值得信赖的技术与产能提供者」，把「逻辑」写进了定位。
- 供需背景：AI 硬件需求使存储芯片严重短缺、价格大幅上涨，英伟达与苹果均在寻求额外供应来源；苹果今年已以内存涨价为由上调部分产品价格。
- 前置事实：英伟达此前已要求三星、SK 海力士、美光在定制 HBM 上统一使用台积电 3nm 基底裸片，把内存控制器搬进底座（#423《英伟达要求三家存储厂统一用台积电 3nm 制造 HBM 基底裸片》）。
- 若成事：台积电将直接与三星、SK 海力士、美光在同一市场相遇，而这三家同时是它的客户。
观点
- 这条停在规划层，不能当量产公告用。 没有时间表、没有产能来源、当事方未确认，台积电的回应也没有否认。按研究消息记，暂不足以改写近两年的供需与利润假设。
- 顺序值得注意：先做底座，再谈 3D DRAM。 3nm 基底裸片已经让 HBM 的一部分工序逻辑化，3D DRAM 若再进代工体系，等于把存储的核心工序也拉进来。这两步方向一致。
- 矛盾点在官方措辞里。 一边强调专注逻辑代工，一边由先进封装负责人主导存储规划。代工不做自有产品是台积电与存储三巨头维持客户关系的基础，这条线一动就是客户结构问题。
- 对三巨头的含义在定价权，不在份额。 DRAM 的工艺迭代节奏若向逻辑代工的节奏靠拢，工艺节点与产能分配的议价对象就从存储厂转到代工厂，长约的期限与价格基准都要重算。前提是这件事真的落地。