长鑫科技：第六代 DRAM 平台基于 4F² 架构并完成工程样片验证，已与多家头部客户协商长协
10 月 31 日，长鑫科技披露的投资者关系活动记录表显示，公司第六代工艺技术平台将基于 4F² 垂直沟道 DRAM 架构，该平台已完成工程样片验证；采用 4F² 的首代产品今年年底送样，规模量产视客户验证进度与市场需求推进。业绩说明会于 10 月 30 日召开。
关键事实
- 这是长鑫首次明确第六代平台建立在 4F² 之上。此前公司已宣布 8 月 LPDDR6 全球首发量产、9 月第五代平台量产，第五代以四重曝光把内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米。
- 4F² 之争的另一方是美光。美光总裁兼首席技术与产品官 Scott DeBoer 本月称，美光将沿 6F² 路径并开发 3D DRAM，不做 4F²，理由是复杂度与成本上升；公司研究该方向 20 年，未见可行微缩路径与实际收益，决定位密度理论极限的是电容间距。
- 长鑫的回应停在机制层面：位密度是字线、位线、电容结构的「多重空间博弈」，不同节点下各架构在工艺集成复杂度、光刻次数、热预算上有不同成本效益曲线，各厂依据技术积累、产线配置、专利与资本开支结构做差异化选择。公司同时称前瞻技术「不会在短期全部转化为当期利润」。
- 三季度营收 1187.14 亿元、同比增 613.18%，归母净利 544.35 亿元、环比仅增 3.01%；单季毛利率 89.53%。前三季营收 2690.24 亿元、增 738.51%，归母净利 1320.40 亿元，扣非 1340.30 亿元，经营现金流 2547.51 亿元、增 1864.52%，加权净资产收益率 96.46%，资产负债率降至 36.34%。
- 净利环比增速远低于子公司：截至 6 月末公司直接持有长鑫新桥、长鑫集电 30.68%、31.72% 股权，两家三季度营收与利润环比增速均超 50%；8 月已对长鑫集电追加注资以提高权益比例。
- 长协与指引：已与多家头部客户协商长期供货协议，锁定中长期需求；四季度服务器客户需求强劲、DRAM 供不应求延续，营收继续增长、毛利率保持稳定，明年营收仍增长。三季度企业级产品价格涨幅好于消费级，与海外厂商价差不大。前三季研发投入 110.71 亿元、增 73.03%。
观点
- 把第六代平台压在 4F² 上，是一次路线押注，已经超出节点升级的范畴。客户验证通过，长鑫就是首个规模量产 4F² 的厂商，差异化落在成本曲线；验证不顺，前期开支就沉淀在一条只有自己走的路上。
- 美光那句「20 年没有可行微缩路径、没有实际收益」是目前最硬的反证。长鑫的回应没有给出位密度或单位成本的量化答案，只用「各自权衡」作答，措辞本身透露了证据强度。
- 净利环比只增 3%、两家子公司增超 50%，差额来自少数股东权益。对上市公司股东而言，提高持股比例对每股收益的杠杆比涨价更直接。
- 长协把周期股叙事改成产能分配叙事，代价是价格弹性被封在约定区间内。海外三家原厂已走过同一步，2027 年涨价斜率一旦走平，利润弹性会同步收窄。
来源：中国证券网、芯智讯。相关：#430《阿里、腾讯、字节洽谈服务器内存十年期长约》、#404《集邦咨询预估四季度 DRAM 合约价环比涨两成》